2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年3月16日(木) 09:30 〜 11:30 P4 (展示ホールB)

09:30 〜 11:30

[16a-P4-25] 不揮発メモリ応用へ向けたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性の評価

永瀬 成範1、高橋 言緒1、清水 三聡1 (1.産総研)

キーワード:窒化物半導体、不揮発メモリ、サブバンド間遷移

ピコ秒オーダー動作の高速不揮発メモリ実現に向けて、GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性を評価した。量子井戸でのサブバンド間遷移と電子蓄積効果に起因する双安定性を用いることで、再現性の高いメモリ書き換え動作と良好なデータ保持特性を実現した。