[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-3] GaN自立基板上にホモエピタキシャル成長したp-GaN膜の電気的評価

〇中野 由崇¹ (1.中部大工)

キーワード：p型GaN、欠陥準位、光容量過渡分光法

単色分光照射による光容量過渡分光法を用いて、MOCVD法によりGaN自立基板上にホモエピタキシャル成長したp-GaN膜の欠陥準位評価を行った。価電子帯へのホール放出に対応する正の光容量変化を示す欠陥準位(Ev+1.80eV, Ev+2.48eV, Ev+3.18eV)と伝導帯への電子放出に対応する負の光容量変化を示す欠陥準位(Ec-3.08eV, Ec-3.28eV)が検出された。