[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-4] GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析(2)

〇井上 凌兵¹、若杉 勇作¹、中村 成志¹、奥村 次徳¹ (1.首都大理工)

キーワード：GaN、プラズマ照射誘起欠陥