[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-6] 界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN MIS HEMTの劣化過程の2次元評価

村瀬 真悟¹、渡村 遥²、末光 哲也²、〇塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.東北大学)

キーワード：AlGaN/GaN MIS-HEMT、界面顕微光応答法、ショットキー接触

AlGaN/GaN MIS-HEMTにおける電圧ストレス印加による劣化過程を界面顕微光応答法で評価した。HEMTにOFF状態の電圧ストレス(Vgs= −15 V, Vds = 20 V) を30分間印加後、I-V特性が過程した。電圧印加後では電極のドレイン側に信号が増加する領域が2箇所みられた。本手法を用いればMIS構造上のゲート電極の劣化を非破壊で評価できることを明らかにした。