[16p-211-1~18] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[16p-211-13] Long-duration potential-induced degradation tests for n-type c-Si-wafer-based photovoltaic modules

〇(M1)Yutaka Komatsu¹, Seira Yamaguchi¹, Atsushi Masuda², Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.AIST)

Keywords:potential-induced degradation, module, n-type c-silicon

本研究では，n型フロントエミッターc-Si太陽電池モジュールの劣化飽和後の挙動を調査した．−1000 VのPID試験を行うと，PID試験時間5秒からJ_scとV_ocが低下し始め，120秒程度で飽和値に達する．劣化飽和後も試験を続けると，FFとV_ocが低下する．第一の劣化は，表面パッシベーション膜中の正電荷の蓄積による表面再結合の増大，第二の劣化は，カバーガラスなどからセル中へドリフトしたNaがc-Si表面にNa-decorated stacking faultを形成し，多数の欠陥準位が導入されたことによる再結合電流の増加に起因すると考えられる．