[16p-211-1~18] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[16p-211-14] Activation of surface recombination in n-type rear-emitter c-Si photovoltaic modules by PID stress and its recovery

〇Naoyuki Nishikawa¹, Seira Yamaguchi¹, Keisuke Ohdaira¹, Atsushi Masuda² (1.JAIST, 2.AIST)

Keywords:Potential-induced degradation, n-type c-Si solar cell, durability

n型リアエミッター型結晶Si太陽電池と同様のパッシベーション構造を結晶Si基板両面に持つ試料のPID試験後の回復特性を評価した。正バイアスでsurface polarization effectで劣化した思われる試料は、その後の負バイアス印加により、1 min以内での短時間で著しい回復が見られ、初期値を超えるキャリア寿命を示す試料も多くあった。一方、負バイアス印加でNaが原因で劣化したと思われる試料においては、その後の正バイアス印加による少数キャリア寿命の回復が見られなかった。