[16p-211-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

[16p-211-14] n型リアエミッター型結晶Si太陽電池モジュールのPID試験による表面再結合活性化とその回復

〇西川 斉志¹、山口 世力¹、大平 圭介¹、増田 淳² (1.北陸先端大、2.産総研)

キーワード：電圧誘起劣化、n型結晶Si太陽電池、耐久性

n型リアエミッター型結晶Si太陽電池と同様のパッシベーション構造を結晶Si基板両面に持つ試料のPID試験後の回復特性を評価した。正バイアスでsurface polarization effectで劣化した思われる試料は、その後の負バイアス印加により、1 min以内での短時間で著しい回復が見られ、初期値を超えるキャリア寿命を示す試料も多くあった。一方、負バイアス印加でNaが原因で劣化したと思われる試料においては、その後の正バイアス印加による少数キャリア寿命の回復が見られなかった。