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[16p-211-16] PIDが結晶Si太陽電池の高温高湿劣化に及ぼす影響
キーワード:電圧誘起劣化、DH試験
DH試験を1000時間実施した後にPID試験を20時間実施した結晶シリコン太陽電池モジュールに対して、再度DH試験を1000時間実施した。その結果、熱によるPIDの回復を示すI-V特性と、DH試験のみを4000時間実施した場合と似たEL画像が得られた。これらの結果は、熱によるPIDの回復と、DHによる劣化の進行が同時に発生する可能性を示す。また、PIDの発生によりその後のDH劣化が加速される可能性を示唆する。