[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [16p-412-16] Ge基板上のAl₂O₃膜の構造変化と熱輸送特性

〇中島 佑太^1,2、藤代 博記¹、藤川 紗千恵¹、前田 辰郎^1,2、服部 淳一²、福田 浩一²、内田 紀行² (1.東京理科大、2.産総研)

キーワード：半導体、熱輸送特性、ゲルマニウム