[16p-413-1~11] 13.3 Insulator technology

[16p-413-1] [JSAP Young Scientist Award Speech] Mechanism of mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al into gate stack

〇Yuta Nagatomi¹, Tomoki Oda¹, Taisei Sakaguchi¹, Keisuke Yamamoto¹, Dong Wang¹, Hiroshi Nakashima¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:Ge MOSFET, interface state, fixed oxide charge

我々は，Al/SiO₂/GeO₂/Ge構造を熱処理すると，界面欠陥が低減し，p-MOSFETの移動度が向上することを報告している．これは，絶縁膜中へのAl導入と関係していると考えられるが，その詳細は明らかではない．今回，Ge-とSi-MOSCAPを作製し，V_fb-EOTの関係から界面ダイポールの生成と消失，固定電荷密度の変化を調べると共に，その原因となるゲートスタック中での反応を構造分析により調べた．それらの結果とデバイス特性との相関から，移動度向上機構を明らかにした．