[16p-413-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[16p-413-1] [講演奨励賞受賞記念講演] ゲートスタック中へのAl 導入によるGe p-MOSFET の移動度向上機構

〇永冨 雄太¹、織田 知輝¹、坂口 大成¹、山本 圭介¹、王 冬¹、中島 寛¹ (1.九大)

キーワード：Ge MOSFET、界面準位、固定電荷

我々は，Al/SiO₂/GeO₂/Ge構造を熱処理すると，界面欠陥が低減し，p-MOSFETの移動度が向上することを報告している．これは，絶縁膜中へのAl導入と関係していると考えられるが，その詳細は明らかではない．今回，Ge-とSi-MOSCAPを作製し，V_fb-EOTの関係から界面ダイポールの生成と消失，固定電荷密度の変化を調べると共に，その原因となるゲートスタック中での反応を構造分析により調べた．それらの結果とデバイス特性との相関から，移動度向上機構を明らかにした．