2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[16p-413-1~11] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月16日(木) 14:00 〜 17:00 413 (413)

入沢 寿史(産総研)、高木 信一(東大)

16:30 〜 16:45

[16p-413-10] Al2O3/InxGa1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果とその物理モデル

横山 千晶1、張 志宇2、竹中 充1,2、高木 信一1,2 (1.東京大工、2.東京大院工)

キーワード:InGaAs、MOS界面、酸化物

前回、Al2O3/InGaAs界面では、In組成が大きくなるほど(NH4)Sx処理よりBHF処理において、より低いDitが得られることを示した。今回、HF処理とBHF処理とを比較し、BHF処理の本質はNH3でなくHFであることを示す。また、XPS測定より、As2O3が界面のパッシベーションとして働く可能性を示し、最後に前処理に関するDitと界面欠陥との物理モデルを提案する。