16:30 〜 16:45
[16p-413-10] Al2O3/InxGa1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果とその物理モデル
キーワード:InGaAs、MOS界面、酸化物
前回、Al2O3/InGaAs界面では、In組成が大きくなるほど(NH4)Sx処理よりBHF処理において、より低いDitが得られることを示した。今回、HF処理とBHF処理とを比較し、BHF処理の本質はNH3でなくHFであることを示す。また、XPS測定より、As2O3が界面のパッシベーションとして働く可能性を示し、最後に前処理に関するDitと界面欠陥との物理モデルを提案する。