The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Symposium (Oral)

Symposium » Process technology for advanced power semiconductor devices

[16p-502-1~10] Process technology for advanced power semiconductor devices

Thu. Mar 16, 2017 1:45 PM - 6:30 PM 502 (502)

Mutsuko Hatano(Titech), Masahiro Ishida(Panasonic), Katsuhiko Nishiwaki(Toyota)

6:00 PM - 6:30 PM

[16p-502-10] Process technologies on high-temperature and high-frequency diamond power devices

Hitoshi Umezawa1 (1.AIST)

Keywords:Diamond, Power devices, Process technologies

ダイヤモンドは高い絶縁破壊電界や移動度、物質中最大の熱伝導率や高いショットキー障壁高さなどから、高温でも大出力動作、低消費電力および高速動作が同時に可能な、高機能な次々世代半導体材料としての可能性が議論されている。本講演ではダイヤモンドの材料性能と特徴を説明し、プロセス技術とデバイス性能を比較議論して紹介する。