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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-B5-1~15] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年3月16日(木) 13:45 〜 17:45 B5 (B5)

末益崇(筑波大)、山口憲司(量研機構)

15:15 〜 15:30

[16p-B5-7] 硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の赤外吸収と光電気伝導利得

〇(M1)早瀬弘基¹、長尾克紀¹、中井達也¹、細見勇登¹、内藤宗幸¹、青木珠緒¹、梅津郁朗¹ (1.甲南大理工)

キーワード：パルスレーザーメルティング、過飽和ドープ、中間バンド