[16p-B6-1~16] 17.2 Graphene

[16p-B6-10] Effect of multilayer graphene nanoribbon width on the electrical properties of transistor

〇Ryouta Negishi¹, Katsuma Yamamoto¹, Pandey Reetu Raji², Taizo Fujiwara², Hirofumi Tanaka², Yoshihiro Kobayashi¹ (1.Osaka Univ., 2.Kyushu Inst.)

Keywords:Graphene nanoribbon, Field effect transistor

乱層・多層グラフェンナノリボン（GNR）は、高い伝導度とオン・オフ比の両立可能性が理論的に示されている。我々はこれまでにアンジップ法で作製したGNR上でグラフェン層成長をおこない、乱層構造を持つ多層GNRが形成可能であることを明らかにした。本研究では多層GNRの幅がキャリア伝導特性に及ぼす効果を検証し、ＧＮＲ幅がトランジスタ性能向上の支配的な要因であることを報告する。