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[16p-B6-10] Effect of multilayer graphene nanoribbon width on the electrical properties of transistor
Keywords:Graphene nanoribbon, Field effect transistor
乱層・多層グラフェンナノリボン(GNR)は、高い伝導度とオン・オフ比の両立可能性が理論的に示されている。我々はこれまでにアンジップ法で作製したGNR上でグラフェン層成長をおこない、乱層構造を持つ多層GNRが形成可能であることを明らかにした。本研究では多層GNRの幅がキャリア伝導特性に及ぼす効果を検証し、GNR幅がトランジスタ性能向上の支配的な要因であることを報告する。