[16p-B6-1~16] 17.2 Graphene

[16p-B6-13] In-situ Observation of Nucleation Sites in CVD Growth of Graphene

〇Takanobu Taira¹, Seiji Obata², Koichiro Saiki^1,2 (1.Grad. Sch. of Sci., The Univ. of Tokyo, 2.Grad. Sch. of Frontier Sci., The Univ. of Tokyo)

Keywords:graphene, CVD, nucleation site

大面積の単結晶グラフェンの作製を目的とした、Cu基板上のCVDではグラフェン核密度の低減が必要であり、基板上の炭素不純物量と核密度の相関が報告されている。本研究では不純物と核発生点の直接の相関を探るため、同一Cu箔上でArイオン照射とグラフェン成長を繰り返し、核発生点を熱放射光学顕微法でin-situ観察した。結果、炭素不純物と考えられる輝点からの核発生が観測された。これらの相関について議論する。