[16p-B6-1~16] 17.2 グラフェン

[16p-B6-13] グラフェンCVD成長における核発生点のin-situ観察

〇平良 隆信¹、小幡 誠司²、斉木 幸一朗^1,2 (1.東大院理、2.東大新領域)

キーワード：グラフェン、化学気相成長法、核発生点

大面積の単結晶グラフェンの作製を目的とした、Cu基板上のCVDではグラフェン核密度の低減が必要であり、基板上の炭素不純物量と核密度の相関が報告されている。本研究では不純物と核発生点の直接の相関を探るため、同一Cu箔上でArイオン照射とグラフェン成長を繰り返し、核発生点を熱放射光学顕微法でin-situ観察した。結果、炭素不純物と考えられる輝点からの核発生が観測された。これらの相関について議論する。