[16p-B6-1~16] 17.2 Graphene

[16p-B6-16] Synthesis of graphene directly on SiO₂ substrates by solid-state growth

〇Toshiya Murakami¹, Atsunobu Isobayashi¹, Ryota Ifuku², Takashi Matsumoto², Akihiro Kajita¹ (1.Toshiba Corp., 2.Tokyo Electron Ltd.)

Keywords:graphene, solid-state growth, Raman scattering spectroscopy

固相析出法を用いて大面積な多層グラフェン形成に向けた検討をおこなっている。本研究では、熱処理前の基板の積層構造を工夫することで、比較的低温の熱処理によりSiO₂基板直上に非常に結晶性の高いグラフェンを得ることができた。