2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[16p-B6-1~16] 17.2 グラフェン

2017年3月16日(木) 13:30 〜 17:45 B6 (B6)

乗松 航(名大)、藤井 健志(富士電機)

17:30 〜 17:45

[16p-B6-16] 析出法によるSiO2上へのグラフェン形成

村上 俊也1、磯林 厚伸1、井福 亮太2、松本 貴士2、梶田 明広1 (1.(株)東芝、2.東京エレクトロン(株))

キーワード:グラフェン、固相析出、ラマン散乱分光法

固相析出法を用いて大面積な多層グラフェン形成に向けた検討をおこなっている。本研究では、熱処理前の基板の積層構造を工夫することで、比較的低温の熱処理によりSiO2基板直上に非常に結晶性の高いグラフェンを得ることができた。