[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-16] トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性

〇呉 研¹、和田 雄友¹、岩波 悠太¹、金山 純一¹、高橋 芳浩¹ (1.日大理工)

キーワード：トンネルFET、耐放射線性、シングルイベント効果

半導体デバイスに対して高エネルギー荷電粒子照射によって過渡電流が発生し誤動作が引き起こされるシングルイベント効果に対して、TFETはpin構造のため、一方向のポテンシャル傾きを持ち、照射により発生した電子と正孔が速やかにSource/Drainに収集されるため、寄生バイポーラ効果の抑制が期待される。今回は従来型MOSFET及びTFETによって構成されたCMOSインバータ回路にてnMOSに重イオンが照射されたときの挙動について検討した。