The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[16p-E206-1~17] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Thu. Mar 16, 2017 1:45 PM - 6:30 PM E206 (E206)

Koichiro Saga(Sony), Nobuya Mori(Osaka Univ.), Takashi Hasunuma(Univ. of Tsukuba)

2:15 PM - 2:30 PM

[16p-E206-3] Analysis of the Ge(111) surface structure treated by HF aq. solution with Na2S2O3

Yusuke Fujishima1, Hitoshi Suzuki1, Hiroyuki Sakaue1 (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:Germanium, XPS, sulfur

我々は、亜硫酸ナトリウムや亜硫酸を添加したフッ酸で処理したGe表面は硫黄終端され、水素終端表面よりも酸化されにくいことを報告した。しかし、表面に酸素が残存しており、硫黄終端表面としては不十分である。そこで、本研究では別の試薬として、亜硫酸ナトリウムや亜硫酸の代わりに、チオ硫酸ナトリウムを添加したフッ酸でGe表面の処理をおこなった。