2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2017年3月16日(木) 13:45 〜 18:30 E206 (E206)

嵯峨 幸一郎(ソニー)、森 伸也(阪大)、蓮沼 隆(筑波大)

14:15 〜 14:30

[16p-E206-3] チオ硫酸ナトリウムを添加したフッ酸で処理したGe(111)表面の構造評価

藤島 優介1、鈴木 仁1、坂上 弘之1 (1.広大先端研)

キーワード:ゲルマニウム、XPS、硫黄

我々は、亜硫酸ナトリウムや亜硫酸を添加したフッ酸で処理したGe表面は硫黄終端され、水素終端表面よりも酸化されにくいことを報告した。しかし、表面に酸素が残存しており、硫黄終端表面としては不十分である。そこで、本研究では別の試薬として、亜硫酸ナトリウムや亜硫酸の代わりに、チオ硫酸ナトリウムを添加したフッ酸でGe表面の処理をおこなった。