[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-8] 角度分解光電子分光を用いたサブバンド測定によるイオン打ち込み Si(001) の反転層ポテンシャル勾配及び活性ドーパント濃度の評価

〇比嘉 友大¹、武田 さくら¹、江波戸 達哉¹、米田 允俊¹、藤中 秋穂¹、森田 一帆¹、森本 夏輝¹、Ang Artoni Kevin¹、大門 寛¹、筒井 一生² (1.奈良先端科学技術大学院大学、2.東京工業大学)

キーワード：角度分解光電子分光、サブバンド、イオン打ち込み