[16p-F203-1~15] 17.3 層状物質

[16p-F203-14] ２次元層状物質を用いた電界効果トランジスターの高温動作時に観測される巨大な電流ジャンプとメモリー効果

山中 智貴¹、樋口 絢香¹、松永 正広¹、神谷 航太¹、Guanchen He²、Jonathan P. Bird^1,2、〇青木 伸之¹ (1.千葉大院融合、2.バッファロー大)

キーワード：２次元層状物質、電界効果トランジスター、メモリー効果

最近我々のグループでは単層MoS₂を用いたFETにおけるゲート電圧特性において，高温動作時に５桁にもおよぶ巨大な電流ジャンプを観測し，それに伴ってゲート掃印に対する巨大なステリシス現象を観測した。この現象の特性と起源について、他の原子層物質での特性と比較して検討する。