[16p-F203-1~15] 17.3 層状物質

△ [16p-F203-8] MBE法によるGe(111)基板上へのGaSe成長

〇米澤 隆宏¹、村上 達也¹、東嶺 孝一¹、アントワーヌ フロランス¹、大島 義文¹、高村(山田) 由起子¹ (1.北陸先端大)

キーワード：カルコゲナイド、二次元材料、van der Waalsエピタキシー

GaSeは約2 eVの比較的広いバンドギャップを有する層状物質であり、層数や積層タイプの変化によりエネルギーバンド構造の変化が起こるため、光・電子デバイスへの応用が期待される。本研究では、MBE法を用いてナローギャップ半導体として広く用いられているGe基板上へのGaSe薄膜成長を行い、GaSe/Ge(111)界面およびその表面構造の観察から、成長条件と表面形態の関係やファンデルワールスエピタキシーにおける異種基板からの影響について議論する。