[16p-F203-1~15] 17.3 Layered materials

[16p-F203-9] Formation of Sn monolayer on SiC surface and Graphene/SiC interface

〇Shingo Hayashi¹, Takashi Kajiwara¹, Anton Visikovskiy¹, Takushi Iimori², Fumio Komori², Satoru Tanaka¹ (1.Kyushu Univ., 2.Univ. of Tokyo)

Keywords:graphene, stanene, SiC

SiC上へのSn原子層形成を目的として実験を行った。SiC表面のSi超構造やGraphene/SiC界面など異なる表面でのSnの吸着-成長モードへの影響を調べた。特に、Si-2√3x2√13構造上ではSnが4x4構造を形成しており、XPSやRHEEDの鏡面反射強度からSnが層状に成長していると考えている。この構造についてXPS,ARPESから解析を行った。