[16p-F203-1~15] 17.3 層状物質

[16p-F203-9] SiC表面及びGraphene/SiC界面におけるSn原子層の形成

〇林 真吾¹、梶原 隆司¹、Visikovskiy Anton¹、飯盛 拓嗣²、小森 文夫²、田中 悟¹ (1.九大院工、2.東大物性研)

キーワード：グラフェン、スタネン、炭化ケイ素

SiC上へのSn原子層形成を目的として実験を行った。SiC表面のSi超構造やGraphene/SiC界面など異なる表面でのSnの吸着-成長モードへの影響を調べた。特に、Si-2√3x2√13構造上ではSnが4x4構造を形成しており、XPSやRHEEDの鏡面反射強度からSnが層状に成長していると考えている。この構造についてXPS,ARPESから解析を行った。