[16p-F204-1~15] CS.1 3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[16p-F204-11] III-V/Si MOSキャパシタマッハツェンダ変調器による10 Gb/s 強度変調

〇開 達郎^1,2、相原 卓磨¹、長谷部 浩一¹、藤井 拓郎^1,2、武田 浩司^1,2、硴塚 孝明^1,2、土澤 泰^1,2、福田 浩^1,2、松尾 慎治^1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTナノフォトニクスセンタ)

キーワード：シリコンフォトニクス、光変調器

n型InPとp型Siを用いたMOSキャパシタ型位相シフタを有するマッハツェンダ変調器を作製し、プリエンファシス信号を用いた10Gb/s強度変調動作を確認。