[16p-F204-1~15] CS.1 3.13/3.15 Code-sharing Session

△ [16p-F204-14] InAs/GaAs quantum dot lasers on Si (100) just substrate

〇JINKWAN KWOEN¹, BONGYONG JANG², JOOHANG LEE², TAKEO KAGEYAMA¹, KATSUYUKI WATANABE², YASUHIKO ARAKAWA^1,2 (1.NanoQuine, U. Tokyo, 2.IIS, U. Tokyo)

Keywords:Quantum Dot, Si Substrate, Molecular Beam Epitaxy

InAs/GaAs 量子ドットレーザは優れた温度特性および耐転位特性を持つため、シリコンフォトニクス用光源として注目を浴びている。しかし、GaAs のシリコン上成長は材料特性の違いから起因する Antiphase Domain(APD)及び高密度貫通転位の発生などの問題点を持っている。また、これらを回避するために、シリコン基板上の直接成長による量子ドットレーザの作製は傾斜基板上や加工基板の上で行われてきた。しかし、これらの基板は現在のシリコンフォトニクスプラットフォームとの互換性を持たない。今回我々はSi (100)ジャスト基板上に InAs/GaAs 量子ドットレーザ直接成長し、レーザ発振を確認したので報告する。