[16p-F204-1~15] CS.1 3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

△ [16p-F204-14] シリコン(100) ジャスト基板上InAs/GaAs 量子ドットレーザの実現

〇權 晋寛¹、張 奉鎔²、李 珠行²、影山 健生¹、渡邉 克之²、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子、2.東大生研)

キーワード：量子ドットレーザ、シリコン基板、分子線エピタキシー

InAs/GaAs 量子ドットレーザは優れた温度特性および耐転位特性を持つため、シリコンフォトニクス用光源として注目を浴びている。しかし、GaAs のシリコン上成長は材料特性の違いから起因する Antiphase Domain(APD)及び高密度貫通転位の発生などの問題点を持っている。また、これらを回避するために、シリコン基板上の直接成長による量子ドットレーザの作製は傾斜基板上や加工基板の上で行われてきた。しかし、これらの基板は現在のシリコンフォトニクスプラットフォームとの互換性を持たない。今回我々はSi (100)ジャスト基板上に InAs/GaAs 量子ドットレーザ直接成長し、レーザ発振を確認したので報告する。