2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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CS コードシェアセッション » CS.1 3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

[16p-F204-1~15] CS.1 3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

2017年3月16日(木) 13:45 〜 18:45 F204 (F204)

岡野 誠(産総研)、竹中 充(東大)、石川 靖彦(東大)

15:15 〜 15:30

[16p-F204-5] Si基板上薄膜分布反射型レーザの温度依存性

〇(D)平谷 拓生1、井上 大輔1、冨安 高弘1、福田 快1、雨宮 智宏2、西山 伸彦1,2、荒井 滋久1,2 (1.東工大工、2.東工大科創研)

キーワード:半導体レーザ、分布反射型レーザ、薄膜構造

オンチップ光配線の実現に向け、オンチップ光配線用の光源として薄膜分布反射型レーザを提案、実現してきた。今回、活性領域長30 μmで、20 °Cでのしきい値電流0.29 mA、外部微分量子効率23%の素子の温度依存性を評価した。光出力の温度依存性から、サブmAしきい値での90 °C連続発振が得られ、36 nm程度のブラッグ波長デチューニング効果によるものと考えられる。また、発振スペクトルから、80 °Cまでの単一モード動作が得られた。