[16p-F204-1~15] CS.1 3.13 半導体光デバイス,3.15シリコンフォトニクスのコードシェアセッション

△ [16p-F204-5] Si基板上薄膜分布反射型レーザの温度依存性

〇(D)平谷 拓生¹、井上 大輔¹、冨安 高弘¹、福田 快¹、雨宮 智宏²、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.東工大科創研)

キーワード：半導体レーザ、分布反射型レーザ、薄膜構造

オンチップ光配線の実現に向け、オンチップ光配線用の光源として薄膜分布反射型レーザを提案、実現してきた。今回、活性領域長30 μmで、20 °Cでのしきい値電流0.29 mA、外部微分量子効率23%の素子の温度依存性を評価した。光出力の温度依存性から、サブmAしきい値での90 °C連続発振が得られ、36 nm程度のブラッグ波長デチューニング効果によるものと考えられる。また、発振スペクトルから、80 °Cまでの単一モード動作が得られた。