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△ [16p-F204-5] Si基板上薄膜分布反射型レーザの温度依存性
キーワード:半導体レーザ、分布反射型レーザ、薄膜構造
オンチップ光配線の実現に向け、オンチップ光配線用の光源として薄膜分布反射型レーザを提案、実現してきた。今回、活性領域長30 μmで、20 °Cでのしきい値電流0.29 mA、外部微分量子効率23%の素子の温度依存性を評価した。光出力の温度依存性から、サブmAしきい値での90 °C連続発振が得られ、36 nm程度のブラッグ波長デチューニング効果によるものと考えられる。また、発振スペクトルから、80 °Cまでの単一モード動作が得られた。