[16p-P2-1~7] 6.1 Ferroelectric thin films

[16p-P2-5] Influence of Mg and Nb Single Doping on AlN Thin Film Structure

〇Hokuto Shigemoto³, Morito Akiyama¹, Hiroshi Yamada^1,3, Yasuhiro Aida², Keiichi Umeda², Masato Uehara^1,3 (1.AIST, 2.Murata, 3.Kyushu Univ)

Keywords:piezoelectric thin film, aluminum nitride, doping

AlN圧電薄膜について、我々はMgとNbを共添加することで圧電特性が飛躍的に向上することを見出している。今回は添加効果を明らかにするために、それぞれを単独添加した試料について構造評価を行った。XRDからc軸の格子定数を見積もった結果、共添加では短くなった。一方、単独添加ではc軸は長くなり、回折強度の著しい低下も見られ、単独添加と共添加で結晶構造への影響が異なることが明らかになった。