[16p-P3-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

[16p-P3-10] ワイドギャップシリコン添加アモルファスカーボン半導体を用いた太陽電池の創製及び出力特性と化学結合状態の相関の解明

〇清水 優太¹、楢木野 宏¹、本多 謙介¹ (1.山口大学)

キーワード：アモルファスカーボン、太陽電池、化学結合状態

高効率なタンデム型太陽電池の創製を目的として，高周波プラズマ化学気相成長法を用いたSi添加アモルファスカーボン(a-C)半導体薄膜の作製を行った．