[16p-P5-1~17] 12.2 評価・基礎物性

[16p-P5-13] 有機TFTのバイアスストレスと光照射の効果

〇大田 貴士¹、青木 勇樹¹、西脇 昂汰¹、徳田 豊¹、阿南 裕穂²、加藤 哲弥²、片山 雅之² (1.愛知工大、2.（株）デンソー)

キーワード：有機半導体

OTFT特性のバイアスストレスとその熱的及び光照射による回復について、閾値電圧（V_th）のシフトと電流DLTS測定により評価した。ストレスによるV_th負シフト、及び熱的回復を観測した。バイアスストレス時にトラップによる正孔捕獲が起き、回復は正孔の熱的放出により生じていると考えた。しかしながら室温での熱的回復条件では、ストレスの効果は残っている。この分は、青色LEDの光照射により回復する。現在、電流DLTS測定を行っている。