[16p-P7-1~36] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[16p-P7-1] Three-Dimensional Atom Probe Analysis of Erbium Inhomogeneous Distribution in Silicon

〇Yasuo Shimizu¹, Yuan Tu¹, Ayman Abdelghafar², Maasa Yano², Yudai Suzuki², Takashi Tanii², Takahiro Shinada³, Enrico Prati⁴, Koji Inoue¹, Yasuyoshi Nagai¹ (1.IMR Tohoku Univ., 2.Waseda Univ., 3.CIES Tohoku Univ., 4.IFN-CNR)

Keywords:erbium, silicon, atom probe

シリコン中へのエルビウム（Er）添加により，4f電子の遷移過程を利用した通信波長帯の発光特性に関する研究が盛んに実施されてきた．近年，より高効率な発光特性を得るべく，Erと酸素の共注入効果によるErO_x複合体の形成が注目されているが，これら添加元素分布と発光の直接的な関連を調べる方法は無かった．本講演では，原子レベルで元素の実空間分布を得る３次元アトムプローブ法を用いて解明したErとErO分布の不均一性を報告する．