[16p-P7-1~36] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[16p-P7-2] Photoluminescence and photocurrent measurement of Er:O co-implanted MOSFET

〇Ayman Tarek Abdelghafar¹, Maasa Yano¹, Yuki Chiba¹, Enrico Prati², Michele Celebrano³, Lavinia Ghirardini³, Marco Finazzi³, Giorgio Ferrari³, Takahiro Shinada⁴, Takashi Tanii¹ (1.Waseda Univ., 2.CNR Italy, 3.Politecnico di Milano, 4.CIES Tohoku Univ.)

Keywords:impurity band, MOSFET, photocurrent

Siに添加されたエルビウム(Er)は波長1.5 µm帯の光に相当する不純物準位をバンドギャップ中に形成する。Si MOSFETのチャネル中にErを注入し、チャネル中に注入Erの不純物準位が形成されれば、トランジスタは1.5 µm帯の受光デバイスとして機能する。今回、ErとOを共注入したSi MOSFETの電気伝導特性と光学的特性の基礎的検討を行った。