[16p-P7-1~36] 13.9 光物性・発光デバイス

[16p-P7-2] Er:O共注入Si MOSFETのフォトルミネッセンスおよび光励起電流計測

〇アブデルガファ ターレック 愛満¹、矢野 真麻¹、千葉 悠貴¹、Prati Enrico²、Celebrano Michele³、Ghirardini Lavinia³、Finazzi Marco³、Ferrari Giorgio³、品田 高宏⁴、谷井 孝至¹ (1.早大理工、2.イタリアCNR、3.ミラノ工科大学、4.東北大CIES)

キーワード：不純物準位、MOSFET、光励起電流

Siに添加されたエルビウム(Er)は波長1.5 µm帯の光に相当する不純物準位をバンドギャップ中に形成する。Si MOSFETのチャネル中にErを注入し、チャネル中に注入Erの不純物準位が形成されれば、トランジスタは1.5 µm帯の受光デバイスとして機能する。今回、ErとOを共注入したSi MOSFETの電気伝導特性と光学的特性の基礎的検討を行った。