[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-10] 熱処理がZnO-SnO₂を用いた薄膜トランジスタ特性に与える影響（II）

〇佐藤 和郎¹、村上 修一¹、金岡 祐介¹、中山 健吾¹、山田 義春¹、筧 芳治¹、櫻井 芳昭¹ (1.大阪府立産技研)

キーワード：薄膜トランジスタ、酸化物、ZTO