[16p-P8-1~23] 21.1 Joint Session K

[16p-P8-13] Propertity of SiO₂/GZO films depending on film thick and annealing temperature

〇Yuki Asano¹, Rei Sugiura¹, Motonari Shoriki¹, Shuhei Funaki¹, Yasuji Yamada¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:GZO, ZnO, Transparent Conductive Film

これまで我々はGa添加ZnO膜にSiO₂層を堆積させ、アニールを施すことで低抵抗率な膜を作製してきた。一方、GZO膜は膜が薄いとしばしば高抵抗率化すると報告されている。そこで、この手法を用いて薄くても低抵抗率な膜を作製することが可能か検証した。異なる膜厚のGa添加ZnO膜を有するSiO₂/GZO積層膜に対し様々な温度でアニールを施し、各温度で電気特性、結晶性などを評価した。