[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-13] SiO₂/GZO積層膜の特性の膜厚及びアニール温度依存性

〇浅野 祐稀¹、杉浦 怜¹、正力 幹也¹、舩木 修平¹、山田 容士¹ (1.島根大総理工)

キーワード：GZO、酸化亜鉛、透明導電膜

これまで我々はGa添加ZnO膜にSiO₂層を堆積させ、アニールを施すことで低抵抗率な膜を作製してきた。一方、GZO膜は膜が薄いとしばしば高抵抗率化すると報告されている。そこで、この手法を用いて薄くても低抵抗率な膜を作製することが可能か検証した。異なる膜厚のGa添加ZnO膜を有するSiO₂/GZO積層膜に対し様々な温度でアニールを施し、各温度で電気特性、結晶性などを評価した。