[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-16] β-Ga₂O₃単結晶基板の電気的評価

〇中野 由崇¹ (1.中部大工)

キーワード：β-Ga2O3、欠陥準位、光容量過渡分光法

単色分光照射による光容量過渡分光法を用いて、β-Ga₂O₃単結晶基板の欠陥準位評価を行った。バンドギャップ吸収端(4.49eV), 伝導帯への電子放出に対応する欠陥準位(Ec-2.08eV, Ec-2.71eV, Ec-3.90eV, Ec-4.30eV), 価電子帯へのホール放出に対応する欠陥準位(Ev+3.76eV)が検出された。