[16p-P8-1~23] 21.1 Joint Session K

[16p-P8-18] MBE Growth of Ga₂O₃ on β-Ga₂O₃ (010) substrates

〇Yoshiaki Nakata¹, Kohei Sasaki², Akito Kuramata², Shigenobu Yamakoshi², Masataka Higashiwaki¹ (1.NICT, 2.Tamura Corp.)

Keywords:Ga2O3, Oxide semiconductor, MBE

Ga₂O₃のMBE成長における素過程は、Ga₂O₃形成による表面への取り込み（成長）と表面近傍でのGa₂O形成による脱離との競合にあり、この競合状態が成長温度やO/Ga比により異なることが報告されている。今回、オゾン(O₃)を用いたMBEにより、(010) 基板上への成長とその形態について調べた。