[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-18] β-Ga₂O₃ (010) 基板上へのGa₂O₃のMBE成長

〇中田 義昭¹、佐々木 公平²、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、酸化物半導体、MBE

Ga₂O₃のMBE成長における素過程は、Ga₂O₃形成による表面への取り込み（成長）と表面近傍でのGa₂O形成による脱離との競合にあり、この競合状態が成長温度やO/Ga比により異なることが報告されている。今回、オゾン(O₃)を用いたMBEにより、(010) 基板上への成長とその形態について調べた。