[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-21] スパッタ法によるCuAlO₂薄膜の成膜：ターゲット作成とスパッタリングによるターゲット表面の構造変化

〇惠原 貴志¹、飯坂 涼¹、阿部 真理奈¹、阿部 清晃¹、佐藤 拓也¹ (1.石巻専修大学理工)

キーワード：CuAlO2、スパッタ法

本研究では熱反応によりCuAlO₂の粉末を作成しターゲットを形成して、スパッタ法により薄膜を形成したが、その粉末作成から薄膜形成に至る複数の過程でCuAlO₂の3R構造と2H構造間の変化が観測された。30時間の加熱においては3R、2H双方の構造が観測され、加熱時間が40時間の試料では熱力学的に安定な3Rに収束したと考えられる。スパッタ成膜後のターゲット表面部分から、スパッタ後は2Hの構造が観測された。