[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16p-P8-23] a-InGaZnO薄膜の熱電特性に対する成膜条件と熱処理温度の影響

〇瀬名波 大貴¹、上沼 睦典¹、多和 勇樹¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹、足立 秀明¹ (1.奈良先端大)

キーワード：IGZO、熱電、アニール

近年、熱電発電のフレキシブル化やウェアラブル機器への応用に関心が集まっている。非晶質InGaZnO(a-IGZO)は透明でフレキシブルなデバイスに応用可能であると考えられており、熱電変換材料として利用できれば新たな発電素子やセンシング素子としての応用が見込まれる。そこで応用に向けて熱電性能を向上させることが必要である。本研究では成膜時のRF電力と熱処理時の温度それぞれがa-IGZO薄膜の熱電特性に及ぼす影響について検討した。