[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-3] スパッタ法による単結晶NdGaO₃基板上への非極性ZnO薄膜の作製

〇(B)田中 優太¹、佐久間 実緒¹、小嶋 天俊¹、今井 裕司¹、川崎 浩司¹、柏葉 安宏¹、阿部 貴美²、中川 玲²、新倉 郁生²、柏葉 安兵衛²、長田 洋² (1.仙台高専、2.岩手大理工)

キーワード：酸化亜鉛、非極性、スパッタリング

ZnO(112-0)面との格子整合に単結晶sapphire(011-2)面基板よりも優れていると考えられる単結晶ネオジムガレート(NdGaO₃:NGO) (001)面基上へ，RFスパッタ法を用いてZnO薄膜を作製した。
X線回折測定をおこなったところ，ZnO(112-0)面のピークが観測された。以上より，RFスパッタ法を用いてNGO(001) 面基板上へ非極性ZnO(112-0)面薄膜の成膜に成功したと考えられる。