[16p-P9-1~66] 2 Ionizing Radiation（Poster）

△ [16p-P9-25] The Influence of Ar Plasma Treatment on the CdTe Radiation Detector

〇(M2)Yusuke Kakimoto¹, Satoshi Tokuda², Toshinori Yoshimuta², Toshiyuki Sato^1,2, Yasuyoshi Shiina³, Syota Okamoto³, Takahiro Fukui³, Tamotsu Okamoto³ (1.NAIST, 2.SHIMADZU Co., 3.NIT, Kisarazu College)

Keywords:CdTe, Semiconductor radiation detector, Ar plasma treatment

2次元X線検出器の高精細化を目指し、CdTe検出器の画素サイズ微細化の検討を行っている。CdTe結晶表面に微細な画素を形成するには、プラズマを用いた表面処理・加工技術の向上が欠かせない。前回Arプラズマエッチングで、CdTe表面のTeリッチ層が除去され、ショットキー接合ができ、リーク電流の低減が可能であることを述べた¹⁾。今回はArプラズマの処理条件が素子性能にどう影響を及ぼすのか評価した。また、界面の解析を行う事で、リーク電流低減のメカニズム解明を試みた。
【1】柿本祐輔等、第63回応用物理学会春季学術講演会(2016年3月)、21p-P12-10