[17a-211-1~8] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[17a-211-4] Characterization of localized states in a-Si:H solar cells (2) : Fermi-level-dependent creation of localized states

Adrien Bidiville¹, 〇Takuya Matsui¹, Hitoshi Sai¹, Koji Matsubara¹ (1.AIST)

Keywords:solar cell, amorphous silicon, localized states

Undope a-Si:H（i層）は薄膜Si太陽電池やヘテロ接合太陽電池に用いられているが、ドープ層（主にp層）との接合により膜質のプロセス（製膜・アニール）温度依存性が変化することが知られている。たとえば、i層をp層上に製膜するp-i-n型セルの場合、i層の製膜温度（>200°C）の増加とともにセル特性が著しく低下し、この一因としてp層のボロン原子がi層に拡散することが考えられてきた。しかし、最近の高感度SIMS測定においてもボロンの拡散は観測されず、特性低下のメカニズムの解明が求められている。本研究ではa-Si:H太陽電池の局在準位をセル構造で評価し、そのプロセス温度依存性について調査した。